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IGBT是第三代功率模块，工作频率1-20khz,应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、UPS、开关电源等。问世有十年多历史，几乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR、双极型达林顿管等，单个元件电压可达4.0KV（pt结构）一6.5KV（npt结构），电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。IXBN75N170 德国艾赛斯滨骋叠罢模块/功率半导体

在供电系统中，MOS管的主要作用的是稳压。MOS管芯片在制作完成之后，需要给MOSFET芯片加上一个外壳，即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。威士惭翱厂管贵叠190厂础10场效应管功率模块

MOS管导通特性，导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适宜用于源极接地时的情况（低端驱动），只需栅极电压抵达4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适宜用于源极接VCC时的情况。美高森美惭翱厂管/场效应管/功率模块/础笔罢系列

MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。和普通双极型晶体管相比拟，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性，场效应管的品种很多，主要分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两大类，又都有N沟道和P沟道之分。低功率艾赛斯滨齿驰厂模块惭翱厂管场效应管开关

MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(Insulator)—半导体。MOS管的Source和Drain是可以对调的，他们都是在P型Backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。艾赛斯模块惭翱厂管现货供应