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Product CenterMOS管导通特性,导通的意义是作为开关,相当于开关闭合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适宜用于源极接地时的情况(低端驱动),只需栅极电压抵达4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适宜用于源极接VCC时的情况。惭厂颁025厂惭础120闯美高森美惭翱厂管场效应管全新
IGBT是第三代功率模块,工作频率1-20khz,应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路,即dc/ac变换中。例电动汽车、UPS、开关电源等。问世有十年多历史,几乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、双极型达林顿管等,单个元件电压可达4.0KV(pt结构)一6.5KV(npt结构),电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。美高森美滨骋叠罢模块APT150GN60JDQ4全新现货
IGBT是第三代功率模块,工作频率1-20khz,应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路,即dc/ac变换中。例电动汽车、UPS、开关电源等。问世有十年多历史,几乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、双极型达林顿管等,单个元件电压可达4.0KV(pt结构)一6.5KV(npt结构),电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。美高森美滨骋叠罢模块/APT200GN60J/功率模块
IGBT是第三代功率模块,工作频率1-20khz,应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路,即dc/ac变换中。例电动汽车、UPS、开关电源等。问世有十年多历史,几乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、双极型达林顿管等,单个元件电压可达4.0KV(pt结构)一6.5KV(npt结构),电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。美高森美滨骋叠罢模块/功率模块/功率半导体模块
IGBT是第三代功率模块,工作频率1-20khz,应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路,即dc/ac变换中。例电动汽车、UPS、开关电源等。问世有十年多历史,几乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、双极型达林顿管等,单个元件电压可达4.0KV(pt结构)一6.5KV(npt结构),电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。APT200GN60JDQ4 美高森美IGBT功率模块现货